SI9910DY-E3

Vishay Siliconix

SI9910DY-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSI9910
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)50ns, 35ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)1A, 1A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)500 V
Versorgungsspannung10.8V ~ 16.5V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)