Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Basis-Teilenummer | SI8900 |
|---|---|
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | TrenchFET® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
| Drain-Source-Spannung | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Power - Max | 1W |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 10-UFBGA, CSPBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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