SI8416DB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8416DB-T2-E1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT

Aktiv6-UFBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1470 pF @ 4 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Max. Verlustleistung2.77W (Ta), 13W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UFBGA
Hersteller-Gehäuse6-Micro Foot™ (1.5x1)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)