SI8407DB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8407DB-T2-E1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT

Obsolet6-MICRO FOOT®CSPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 1A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI8407
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 350µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Ta)
Max. Verlustleistung1.47W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-MICRO FOOT®CSP
Hersteller-Gehäuse6-Micro Foot™ (2.4x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)