SI8402DB-T1-E1

Vishay Siliconix

SI8402DB-T1-E1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

Obsolet4-XFBGA, CSPBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 1A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI8402
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case4-XFBGA, CSPBGA
Hersteller-Gehäuse4-Microfoot