SI7972DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8

AktivPowerPAK® SO-8 DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 11A, 10V
Basis-TeilenummerSI7972
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 30V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Power - Max22W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8 Dual

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)