SI7949DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8

AktivPowerPAK® SO-8 DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerSI7949
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A
Power - Max1.5W

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8 Dual

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)