SI7882DP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7882DP-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

ObsoletPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI7882
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta)
Max. Verlustleistung1.9W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)