Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 10A, 10V |
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| Basis-Teilenummer | SI7852 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | TrenchFET® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
| Drain-Source-Spannung | 80 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 1.9W (Ta) |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Hersteller-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
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