SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7844DP-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

ObsoletPowerPAK® SO-8 DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerSI7844
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A
Power - Max1.4W

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8 Dual