SI7810DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7810DN-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8

AktivPowerPAK® 1212-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 5.4A, 10V
Basis-TeilenummerSI7810
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® 1212-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)