SI7804DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8

AktivPowerPAK® 1212-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18.5mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerSI7804
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)