SI7485DP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7485DP-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

ObsoletPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 20A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI7485
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.5A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8