SI7462DP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7462DP-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

ObsoletPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 4.1A, 10V
Basis-TeilenummerSI7462
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8