SI7434ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SI7434ADP-T1-RE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 3.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 125 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Max. Verlustleistung5W (Ta), 54.3W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)