SI7431DP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7431DP-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs174mOhm @ 3.8A, 10V
Basis-TeilenummerSI7431
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135 nC @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
Max. Verlustleistung1.9W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)