SI7322DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7322DN-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

AktivPowerPAK® 1212-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 50 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 52W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)