SI7120DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7120DN-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

ObsoletPowerPAK® 1212-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerSI7120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.3A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8