SI6926ADQ-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI6926ADQ-T1-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP

Aktiv8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI6926
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta)
Power - Max830mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)