SI6467BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6467BDQ-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

Obsolet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI6467
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 450µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP