SI6463BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6463BDQ-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Obsolet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 7.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI6463
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP