SI6435ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6435ADQ-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP

Obsolet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.5A, 10V
Basis-TeilenummerSI6435
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP