SI6433BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6433BDQ-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP

Obsolet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.8A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI6433
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Max. Verlustleistung1.05W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)