SI6423ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6423ADQ-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP

Aktiv8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI6423
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5875 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta), 2.2W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)