SI5999EDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

ObsoletPowerPAK® ChipFET™ DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI5999
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds496pF @ 10V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max10.4W

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® ChipFET™ Dual
Hersteller-GehäusePowerPAK® ChipFet Dual

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)