SI5913DC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5913DC-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs84mOhm @ 3.7A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieLITTLE FOOT®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Max. Verlustleistung1.7W (Ta), 3.1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse1206-8 ChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)