SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Abgekündigt8-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.1A, 10V
Basis-TeilenummerSI5902
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusLast Time Buy
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Power - Max3.12W

Mechanisch

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse1206-8 ChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)