SI5513CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

Aktiv8-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI5513
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds285pF @ 10V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3.7A
Power - Max3.1W

Mechanisch

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse1206-8 ChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)