SI5471DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5471DC-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Aktiv8-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 9.1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2945 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse1206-8 ChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)