Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.9A, 4.5V |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | SI5406 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | TrenchFET® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 1.2mA (Min) |
| Drain-Source-Spannung | 12 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 1.3W (Ta) |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Hersteller-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
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