SI4966DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI4966
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Power - Max2W

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)