SI4862DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4862DY-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 16V 17A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 25A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI4862
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)