SI4814BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4814BDY-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerSI4814
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieLITTLE FOOT®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A, 10.5A
Power - Max3.3W, 3.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)