SI4808DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Basis-TeilenummerSI4808
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieLITTLE FOOT®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A
Power - Max1.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)