SI4491EDY-T1-GE3

Name: SI4491EDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 13A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4620 pF @ 15 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17.3A (Ta)
Max. Verlustleistung	3.1W (Ta), 6.9W (Tc)

Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse	8-SOIC

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)