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SI4462DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4462DY-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 1.5A, 10V
Basis-TeilenummerSI4462
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.15A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

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Prüfung erforderlich

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