SI4451DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4451DY-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 10A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.25mOhm @ 14A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI4451
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 850µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)