SI4434ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4434ADY-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 2.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 125 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Max. Verlustleistung2.9W (Ta), 6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)