SI4136DY-T1-GE3

Name: SI4136DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 46A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4560 pF @ 10 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Max. Verlustleistung	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse	8-SOIC

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)