SI4116DY-T1-E3

Name: SI4116DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1925 pF @ 15 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Max. Verlustleistung	2.5W (Ta), 5W (Tc)

Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse	8-SOIC

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)