SI4108DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4108DY-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Basis-TeilenummerSI4108
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 38 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20.5A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC