SI4100DY-T1-E3

Name: SI4100DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 4.4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 50 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.8A (Tc)
Max. Verlustleistung	2.5W (Ta), 6W (Tc)

Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse	8-SOIC

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)