SI3812DV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3812DV-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI3812
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieLITTLE FOOT®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Max. Verlustleistung830mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)