SI3475DV-T1-GE3

Name: SI3475DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.61Ohm @ 900mA, 10V
Basis-Teilenummer	SI3475
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 50 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	950mA (Tc)