SI3464DV-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 7.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1065 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta), 8A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 3.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)