Vishay Siliconix

SI3424DV-T1-E3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6.7A, 10V
Basis-Teilenummer	SI3424
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)

Mechanisch

Gehäuse	Cut Tape (CT)
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse	6-TSOP