SI3424CDV-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI3424CDV-T1-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 7.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.2A (Ta), 8A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 3.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)