SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2371EDS-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.7A, 10V
Basis-TeilenummerSI2371
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.8A (Tc)
Max. Verlustleistung1W (Ta), 1.7W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)