SI2351DS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2351DS-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI2351
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)