SI2342DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI2342DS-T1-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 7.2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1070 pF @ 4 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 6A (Tc)
Max. Verlustleistung1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)